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三星电子:将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群

财联社7月25日电,星电性三星电子25日在京畿道华城厂区内的将首计算机群极紫外光刻(EUV)专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极(简称GAA)技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。据介绍,次把三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群(HPC),纳米并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片(SoC)等多种产品群。艺用于高三星电子计划继华城厂区之后,星电性在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片。将首计算机群 (韩联社)

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